This calculation is based on the drift-diffusion model that contains charge carrier drift with field dependent mobility, thermionic emission, heterojunction interface and recombination process.
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这个程式的基础是载子漂移和扩散模型,该模型考虑:(1)与电场相关的载子迁移率,(2)载子由金属电极注入有机层或于有机层间迁移,(3)载子在有机层传输及复合。
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