In SiOxNy films, an intense single PL peak at 600nm (2.06eV) was observed under ultraviolet excitation (Ex=225nm).

• 光致发光(PL)谱的研究结果表明，在225nm波长的光的激发下，SiO_xN_y薄膜的主要发光峰位位于600nm(2.；06eV)。