n--type silicon epitaxial layers were grown on arsenic-doped n+-type silicon substrate by ultra-high vacuum chemical vapor deposition(UHV/CVD).

　
英 美
  • 利用超高真空化学气相淀积 (UHV/ CVD)设备 ；在掺 As n+ 型 Si衬底上生长了掺 P n- 型 Si外延层 .
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