Another good review article on the wide bandgap nitrides. 另一篇不錯的寬能隙氮化物系列的論文。
Although the energy bandgap can be reduced in the dilute InGaAsN channel, the InGaAsN material must be growth in low temperatures. 雖然在砷化銦鎵的材料中加入微量氮元素可以使其能隙下降，然而四元氮砷化銦鎵材料卻必須在低溫下成長。
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