With Keithley S900 and TEL-P8 test system, it is applied in the evaluation of gate oxide lifetime of 0.13um process.

• 本文就已有的测试项目TDDB，根据国外前沿的研究结果，提出了一些新的测试方案，并在C语言的环境下实现算法，结合Keithley S900和TEL-P8测试系统，用于测试0.；13um工艺的栅氧化层寿命。