To create nanoscale transistor junctions, engineers can crisscross different types of semiconducting strands, thereby stacking the materials in layers crucial for manipulating electron flow.
英
美
工程师若想制造奈米级的电晶体接面,可让不同类型的半导绞线交叉,使这些半导体层层相叠,构成操控电子流的主体。
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