The blueshift in the power-dependent PL spectra of Ge QDs is attributed to band bending effect and make us conclude that samples in this study are type-II heterostructures.

• 而在随激发光强度变化的光激发萤光光谱中，峰值能量的蓝位移主要是因为在接面上能带弯曲的效应所导致，这样的一个特性也可以让我们判定这些矽/锗量子点是属于第二类半导体。