The VGF, CZ, heat exchange method for Ge single crystals and the cast method for Ge poly-cyrstals was specially discussed.
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着重介绍了VGF法制备锗单晶、铸造法制备锗多晶的工艺和装置。简单比较了不同方法制备的锗晶体的主要光学、电学性能及制造成本。
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