The MOS capacitor with Al 2O 3 dielectric of 3 .45nm equivalent oxide thickness (EOT) is fabricated by reactive sputter.

• 利用反应溅射方法制备了等效氧化层厚度为 3 45nm的Al2 O3栅介质MOS电容 ；研究了Al2 O3作为栅介质的瞬时击穿和恒压应力下的时变击穿等可靠性特征 .