On the other hand, the interface trap charges with high-k dielectrics are larger than those with silicon dioxide. We will do our best to solve these problems.

 
  • 另一方面,本材料直接和矽接合时,产生的界面缺陷;比二氧化矽更为严重。如何解决这些问题,便是我们当前努力的目标.;。
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