In this thesis, by using the Si electron beam evaporator (EBE) and UHV MBE system which are developed and set up by ourselves, a flat and crystalline Si epitaxial film has been obtained on Si substrate.
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本论文利用自主研发的Si电子束蒸发器和建立的分子束外延设备,在Si衬底上外延生长出了表面平整的Si单晶薄膜。
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