In chapter 3, we discuss the capacitance phenomenon of a 100nm Tri-Gate Fin-FET device with the N+ poly gate in different fin width, height, and doping.

• 第三章则是探讨通道长度为100奈米三闸鳍状场效电晶体元件，当闸极为N+多晶矽，在不同的鳍宽度、高度及掺杂浓度时，其电容现象的分析。