Electronic structure analysis shows that the doping S could substantially lower the band gap of TiO_2 by the presence of an impurity state of S3p on the upper edge of valence band.
英
美
对TiO_(2-x)S_x的电子结构分析表明,其带隙相对于未掺杂TiO_2有所减小,这是由S3p杂质态在价带上边沿的出现造成的。 可以推断,由S3p杂质态到导带的跃迁造成了实验观测到的S掺杂TiO_2吸收边沿的红移。
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