CN x films on silicon (111) wafer, quartz and Ti/C substrate with nitrogen concentration up to 20 at% have been prepared by a new plasma deposition technique, filtered arc deposition.
英
美
本文采用真空磁过滤弧沉积技术,在Si(111)、石英及Ti/C衬底上制备得到非晶碳氮(CNx)薄膜。
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