By optimizing the MBE technique and conditions experimentally, we grew the improved GaN film on vicinal sapphire (0001) substrates by radio frequency plasma-assisted molecular beam epitaxy.
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在实验优化MBE工艺条件的基础上,采用蓝宝石(0001)邻晶面衬底制备出了具有较高质量的GaN薄膜。
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