By appropriate annealing prior to irradiation, we can obtain an enhanced exchange field and an almost unchanged GMR to solve the problem of interface intermixing.
英
美
为了解决界面处因离子布植而产生的问题,我们利用先加以热处理再进行碳离子布植的制程,成功地抑制巨磁阻的减少,同时仍然保有因布植而产生增加交换场之效果。
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