AlAs/GaAs/InGaAs double barrier-single well structures are grown on semi-insulating GaAs substrates by molecular beam epitaxy.

　
英 美
  • 用分子束外延技术在半绝缘GaAs衬底上生长制备了不同结构的AlAs/GaAs/InGaAs两垒一阱RTD单管.
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