A scheme for implementation of a 4 kbit serial ferroelectric nonvolatile memory is proposed, which is composed of 2T 2C memory cells.

• 文章提出了一个基于 VLSI的 4k位串行铁电不挥发存储器的实现方案。 该电路采用2 T- 2 C的存储单元设计 ,针对铁电电容的读出和写入的电流电压特性设计了相应的读写时序 ,给出了状态机的描述和相应的电路实现。